Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ESH1PCHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.698
ESH1PCHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.994
ESH1PC-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile24.978
ESH1PC-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.528
ESH1PD-E3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.214
ESH1PDHE3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.240
ESH1PDHE3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.868
ESH1PDHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.412
ESH1PDHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.640
ESH1PD-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile59.064
ESH1PD-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.078
ESH2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.434
ESH2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.086
ESH2B-E3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.642
ESH2B-E3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.992
ESH2BHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.750
ESH2BHE3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.790
ESH2BHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.894
ESH2BHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.400
ESH2B-M3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.532
ESH2B-M3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.994
ESH2B M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.366
ESH2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.462
ESH2CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.950
ESH2CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.148
ESH2C-E3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.136
ESH2C-E3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.104
ESH2CHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.042
ESH2CHE3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.838
ESH2CHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.628

ESH1PCHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.698

ESH1PCHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.994

ESH1PC-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile24.978

ESH1PC-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.528

ESH1PD-E3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.214

ESH1PDHE3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.240

ESH1PDHE3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.868

ESH1PDHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.412

ESH1PDHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.640

ESH1PD-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile59.064

ESH1PD-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.078

ESH2BA M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.434

ESH2BA R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.086

ESH2B-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.642

ESH2B-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.992

ESH2BHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.750

ESH2BHE3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.790

ESH2BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.894

ESH2BHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.400

ESH2B-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.532

ESH2B-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.994

ESH2B M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.366

ESH2B R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.462

ESH2CA M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.950

ESH2CA R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.148

ESH2C-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.136

ESH2C-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.104

ESH2CHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.042

ESH2CHE3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.838

ESH2CHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.628

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