Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ES2LDHM4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.870
ES2LDHR5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.120
ES2LD M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.124
ES2LD R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.400
ES2LGHM4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.082
ES2LGHR5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.262
ES2LG M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.634
ES2LG R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.904
ES2LJHM4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.114
ES2LJHR5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.308
ES2LJ M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.958
ES2LJ R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.762
ES2M-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile6.570
ES38 SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Singoli MODULAR Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile5.934
ES3A SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Singoli SMT SUPER FAST RECTIFIER Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: SMC (DO-214AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.524
ES3A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A SMC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: SMC (DO-214AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile108.768
ES3A-13 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A SMC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: SMC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.698
ES3A-13-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A SMC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: SMC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.526
ES3AB-13 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A SMB Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: SMB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.860
ES3AB-13-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A SMB Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: SMB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile200.088
ES3A-E3/51T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.190
ES3A-E3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile23.430
ES3A-E3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.694
ES3AHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.182
ES3AHE3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.304
ES3AHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.852
ES3AHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.448
ES3AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.848
ES3AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.884
ES3A-M3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.142

ES2LDHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.870

ES2LDHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.120

ES2LD M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.124

ES2LD R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.400

ES2LGHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.082

ES2LGHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.262

ES2LG M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.634

ES2LG R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.904

ES2LJHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.114

ES2LJHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.308

ES2LJ M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.958

ES2LJ R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.762

ES2M-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile6.570

ES38

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Singoli

MODULAR

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile5.934

ES3A

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Singoli

SMT SUPER FAST RECTIFIER

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: SMC (DO-214AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.524

ES3A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: SMC (DO-214AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile108.768

ES3A-13

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.698

ES3A-13-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.526

ES3AB-13

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: SMB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.860

ES3AB-13-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: SMB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile200.088

ES3A-E3/51T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.190

ES3A-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile23.430

ES3A-E3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.694

ES3AHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.182

ES3AHE3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.304

ES3AHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.852

ES3AHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.448

ES3AHM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.848

ES3AHR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.884

ES3A-M3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.142

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