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Diodi e raddrizzatori

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Disponibile
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ES3DHE3_A/H
ES3DHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile15.900
ES3DHE3_A/I
ES3DHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile26.490
ES3DHE3J_A/I
ES3DHE3J_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile7.398
ES3DHM6G
ES3DHM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile8.766
ES3DHR7G
ES3DHR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile3.798
ES3D-M3/57T
ES3D-M3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile6.858
ES3D-M3/9AT
ES3D-M3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile4.968
ES3D M6G
ES3D M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile8.352
ES3DPX
ES3DPX

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOD-128
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CFP5
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)
Disponibile5.976
ES3D R7G
ES3D R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile34.182
ES3D V6G
ES3D V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile3.490
ES3D V7G
ES3D V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile19.134
ES3DVHM6G
ES3DVHM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile2.754
ES3DVHR7G
ES3DVHR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile4.122
ES3DV M6G
ES3DV M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile7.722
ES3DV R7G
ES3DV R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile6.696
ES3DV V6G
ES3DV V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile4.392
ES3DV V7G
ES3DV V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile4.266
ES3E
ES3E

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Singoli

SMT SUPER FAST RECTIFIER

  • Produttore: SMC Diode Solutions
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMC (DO-214AB)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile57.612
ES3FBHM4G
ES3FBHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 41pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile3.472
ES3FBHR5G
ES3FBHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 41pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile3.400
ES3FB M4G
ES3FB M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 41pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile7.416
ES3FB R5G
ES3FB R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 41pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile19.272
ES3F-E3/57T
ES3F-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile31.908
ES3F-E3/9AT
ES3F-E3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile7.668
ES3FHE3/57T
ES3FHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile5.922
ES3FHE3/9AT
ES3FHE3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile7.794
ES3FHE3_A/H
ES3FHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile3.654
ES3FHE3_A/I
ES3FHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile8.730
ES3FHM6G
ES3FHM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

  • Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
  • Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile4.428