Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ES2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.912
ES2DRX Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 200V Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123W Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile2.970
ES2D-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile27.630
ES2DTR SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A SMA Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.408
ES2DVHM4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.976
ES2DVHR5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.042
ES2DV M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.094
ES2DV R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.614
ES2DVRX Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123W Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile5.886
ES2ETR SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A SMA Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.356
ES2FAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.194
ES2FAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile16.878
ES2FA M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.354
ES2FA R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile18.822
ES2F-E3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile23.802
ES2F-E3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile26.886
ES2FHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.862
ES2FHE3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.546
ES2FHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.092
ES2FHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.012
ES2FHM4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.284
ES2FHR5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.598
ES2F-M3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.462
ES2F-M3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.518
ES2F M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.762
ES2F R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.174
ES2G/1 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile8.478
ES2G-13-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A SMB Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: SMB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile157.404
ES2GAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.330
ES2GAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.942

ES2D R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.912

ES2DRX

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123W
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile2.970

ES2D-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile27.630

ES2DTR

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.408

ES2DVHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.976

ES2DVHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.042

ES2DV M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.094

ES2DV R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.614

ES2DVRX

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123W
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile5.886

ES2ETR

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A SMA

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.356

ES2FAHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.194

ES2FAHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile16.878

ES2FA M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.354

ES2FA R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile18.822

ES2F-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile23.802

ES2F-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile26.886

ES2FHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.862

ES2FHE3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.546

ES2FHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.092

ES2FHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.012

ES2FHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.284

ES2FHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.598

ES2F-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.462

ES2F-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.518

ES2F M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.762

ES2F R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.174

ES2G/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile8.478

ES2G-13-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A SMB

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: SMB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile157.404

ES2GAHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.330

ES2GAHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.942

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