Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
1N914 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile303.162
1N914A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile2.034
1N914A_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile2.808
1N914ATR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile7.092
1N914B ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile640.902
1N914B,113 NXP	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.978
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.984
1N914B_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.798
1N914B_S62Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.912
1N914B_T50A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile6.012
1N914B_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.150
1N914B-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.802
1N914BTR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile1.147.326
1N914BTR_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.312
1N914BW RHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123F Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile7.704
1N914BWS ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile1.831.128
1N914BWS RRG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile8.892
1N914BWT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-523F Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile1.577.292
1N914_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.840
1N914_T26A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile4.014
1N914-T50A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile3.672
1N914_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile5.652
1N914TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile332.244
1N914-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.704
1N914TR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile180.414
1N914TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile1.968.606
1N914TR_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.628
1N914UR Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 50mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.280
1N916 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.632
1N916A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.952

1N914

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile303.162

1N914A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile2.034

1N914A_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile2.808

1N914ATR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile7.092

1N914B

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile640.902

1N914B,113

NXP

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.978

1N914B A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.984

1N914B_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.798

1N914B_S62Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.912

1N914B_T50A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile6.012

1N914B_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.150

1N914B-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.802

1N914BTR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile1.147.326

1N914BTR_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.312

1N914BW RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile7.704

1N914BWS

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile1.831.128

1N914BWS RRG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile8.892

1N914BWT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-523F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile1.577.292

1N914_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.840

1N914_T26A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile4.014

1N914-T50A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile3.672

1N914_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile5.652

1N914TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile332.244

1N914-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.704

1N914TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile180.414

1N914TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile1.968.606

1N914TR_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.628

1N914UR

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 50mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.280

1N916

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.632

1N916A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.952

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