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1N914_T50R

1N914_T50R

Solo per riferimento

Numero parte 1N914_T50R
PNEDA Part # 1N914_T50R
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N914_T50R Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N914_T50R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N914_T50R, 1N914_T50R Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 151,13 KB)
PDF1N916TR Datasheet Copertura
1N916TR Datasheet Pagina 2 1N916TR Datasheet Pagina 3 1N916TR Datasheet Pagina 4 1N916TR Datasheet Pagina 5 1N916TR Datasheet Pagina 6 1N916TR Datasheet Pagina 7

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1N914_T50R Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 10mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123FL

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

VS-15TQ060SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

800µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

720pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

NHP140SFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

LSM340G/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.5mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-215AB, SMC Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-215AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

US1BHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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