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1N916

1N916

Solo per riferimento

Numero parte 1N916
PNEDA Part # 1N916
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.632
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N916 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N916
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N916, 1N916 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 151,13 KB)
PDF1N916TR Datasheet Copertura
1N916TR Datasheet Pagina 2 1N916TR Datasheet Pagina 3 1N916TR Datasheet Pagina 4 1N916TR Datasheet Pagina 5 1N916TR Datasheet Pagina 6 1N916TR Datasheet Pagina 7

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1N916 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 10mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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SS2P3HM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MUR315S R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

31DF6 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

1N1206R

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

RSFML RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Venduto di recente

MC14071BD

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0451015.MRL

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