Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IDD08SG60CXTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.354
IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.650
IDD09E60BUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 19.3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 9A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.606
IDD09SG60CXTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 9A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.240
IDD09SG60CXTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 9A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.178
IDD10SG60CXTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 90µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.186
IDD10SG60CXTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 90µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.028
IDD12SG60CXTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.276
IDD12SG60CXTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.806
IDD15E60BUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 87ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile8.676
IDD15E60BUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO252 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 87ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.004
IDDD04G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 13A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 14µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.202
IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 18A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.166
IDDD08G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 24A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 27µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.778
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 29A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 33µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.002
IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 34A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.964
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 43A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 53µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.696
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODES Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 51A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 67µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.736
IDFW40E65D1EXKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli IGBT 650V 40A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 42A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 40A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 76ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-AI Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile8.256
IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 18µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile24.138
IDH02G65C5XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 35µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.408
IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.578
IDH02SG120XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 48µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.436
IDH03G65C5XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.678
IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile11.388
IDH03SG60CXKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.128
IDH03SG60CXKSA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.974
IDH04G65C5XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.670
IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile57.618
IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 14µA @ 420V Capacità @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile22.956

IDD08SG60CXTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.354

IDD08SG60CXTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.650

IDD09E60BUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 19.3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 9A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.606

IDD09SG60CXTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 9A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.240

IDD09SG60CXTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 9A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.178

IDD10SG60CXTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 90µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.186

IDD10SG60CXTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 90µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.028

IDD12SG60CXTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.276

IDD12SG60CXTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.806

IDD15E60BUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 87ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile8.676

IDD15E60BUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO252

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 87ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.004

IDDD04G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 13A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 14µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.202

IDDD06G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 18A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.166

IDDD08G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 24A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 27µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.778

IDDD10G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 29A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 33µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.002

IDDD12G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 34A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.964

IDDD16G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 43A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 53µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.696

IDDD20G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODES

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 51A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 67µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.736

IDFW40E65D1EXKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

IGBT 650V 40A TO247-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 42A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 40A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 76ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-AI
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile8.256

IDH02G120C5XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 18µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile24.138

IDH02G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 35µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.408

IDH02G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.578

IDH02SG120XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 48µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.436

IDH03G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.678

IDH03G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile11.388

IDH03SG60CXKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.128

IDH03SG60CXKSA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.974

IDH04G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.670

IDH04G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile57.618

IDH04G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 14µA @ 420V
Capacità @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile22.956

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