Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IDK05G65C5XTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 830µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.508
IDK06G65C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.1mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.380
IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.1mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.560
IDK08G65C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.4mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.022
IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.856
IDK09G65C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 9A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.6mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.024
IDK09G65C5XTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 9A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.6mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.910
IDK10G65C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.7mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.070
IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.096
IDK12G65C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.1mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile126
IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.802
IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 35µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.220
IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 35µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.564
IDL04G65C5XUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 4A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.718
IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 4A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.546
IDL06G65C5XUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 110µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.676
IDL06G65C5XUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 110µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.912
IDL08G65C5XUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.578
IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.460
IDL10G65C5XUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 180µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.034
IDL10G65C5XUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 180µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.970
IDL12G65C5XUMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 190µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.474
IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 190µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.868
IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 18µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile21.804
IDM05G120C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO252-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 33µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile47.910
IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.976
IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 38A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 62µA @ 12V Capacità @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.254
IDP04E120 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 11.2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 115ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.704
IDP06E60 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 14.7A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.500
IDP08E65D1XKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile15.888

IDK05G65C5XTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 830µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.508

IDK06G65C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.1mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.380

IDK06G65C5XTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.1mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.560

IDK08G65C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.4mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.022

IDK08G65C5XTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.856

IDK09G65C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 9A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.6mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.024

IDK09G65C5XTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 9A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 9A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.6mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.910

IDK10G65C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.7mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.070

IDK10G65C5XTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.096

IDK12G65C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.1mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile126

IDK12G65C5XTMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.802

IDL02G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 35µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.220

IDL02G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 35µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.564

IDL04G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 4A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.718

IDL04G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 4A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.546

IDL06G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 110µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.676

IDL06G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 110µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.912

IDL08G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.578

IDL08G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.460

IDL10G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 180µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.034

IDL10G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 180µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.970

IDL12G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 190µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.474

IDL12G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 190µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.868

IDM02G120C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 18µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile21.804

IDM05G120C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO252-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 33µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile47.910

IDM08G120C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.976

IDM10G120C5XTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 38A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 62µA @ 12V
Capacità @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.254

IDP04E120

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 11.2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 115ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.704

IDP06E60

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 14.7A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 70ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.500

IDP08E65D1XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile15.888

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