Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
HT16G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.712
HT17G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.848
HT17G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.460
HT17G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.374
HT18G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.226
HT18G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.268
HT18G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1A TS-1 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.636
HU10260 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 275pF @ 10V, 1Mhz Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile5.346
HU10260R Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 275pF @ 10V, 1Mhz Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.718
HU20260 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 200A HALFPAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 130ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.608
HU20260R Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 200A HALFPAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 130ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile3.544
IDB06S60C Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.076
IDB06S60CATMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.410
IDB09E60ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 19.3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 9A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.192
IDB10S60C Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SILICON 600V 10A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.106
IDB10S60CATMA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.672
IDB12E120ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 28A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.398
IDB15E60 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 87ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.140
IDB15E60ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 87ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile8.028
IDB18E120ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 31A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 18A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 195ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.858
IDB23E60ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 41A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 23A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 120ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.264
IDB30E120ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 50A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 243ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.898
IDB30E60ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 52.3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 126ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile8.046
IDB45E60ATMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 71A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 45A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.292
IDC04S60CEX1SA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.020
IDC04S60CEX7SA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile5.706
IDC05S120C5X1SA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli IC DIODE EMITTER CTLR WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile6.102
IDC05S60CEX1SA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.326
IDC08D120T6MX1SA2 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.05V @ 10A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.7µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile4.968
IDC08S120EX1SA3 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 7.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 7.5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 180µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.884

HT16G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.712

HT17G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.848

HT17G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.460

HT17G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.374

HT18G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.226

HT18G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.268

HT18G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1A TS-1

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: TS-1
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.636

HU10260

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 275pF @ 10V, 1Mhz
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile5.346

HU10260R

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 275pF @ 10V, 1Mhz
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.718

HU20260

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 200A HALFPAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 130ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.608

HU20260R

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 200A HALFPAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 130ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitore: HALF-PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile3.544

IDB06S60C

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.076

IDB06S60CATMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.410

IDB09E60ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 19.3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 9A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.192

IDB10S60C

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.106

IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 140µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.672

IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 28A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.398

IDB15E60

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 87ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.140

IDB15E60ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 29.2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 87ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile8.028

IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 31A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 18A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 195ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.858

IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 41A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 23A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 120ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.264

IDB30E120ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 50A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 243ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.898

IDB30E60ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 52.3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 126ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile8.046

IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 71A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 45A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.292

IDC04S60CEX1SA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Die
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.020

IDC04S60CEX7SA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER

Produttore: Infineon Technologies
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile5.706

IDC05S120C5X1SA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile6.102

IDC05S60CEX1SA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 70µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Die
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.326

IDC08D120T6MX1SA2

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.05V @ 10A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.7µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile4.968

IDC08S120EX1SA3

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 7.5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 7.5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 180µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Sawn on foil
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.884

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