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SSM6N39TU,LF

SSM6N39TU,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM6N39TU,LF
PNEDA Part # SSM6N39TU-LF
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSM6N39TU Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM6N39TU,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SSM6N39TU Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs119mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds260pF @ 10V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreUF6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 20V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

147A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

332nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5576pF @ 1000V

Potenza - Max

750W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

STS4DNF30L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 25V

Potenza - Max

41W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-4

DMC3035LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

384pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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