APTMC120HM17CT3AG
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| Numero parte | APTMC120HM17CT3AG |
| PNEDA Part # | APTMC120HM17CT3AG |
| Descrizione | POWER MODULE - SIC MOSFET |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTMC120HM17CT3AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTMC120HM17CT3AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTMC120HM17CT3AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 750W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-UFBGA, WLCSP Pacchetto dispositivo fornitore 4-WLCSP (1.57x1.57) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 540mA, 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 72pF @ 16V Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A, 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
