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EFC6604R-TR

EFC6604R-TR

Solo per riferimento

Numero parte EFC6604R-TR
PNEDA Part # EFC6604R-TR
Descrizione MOSFET 2N-CH EFCP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.364
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EFC6604R-TR Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEFC6604R-TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
EFC6604R-TR, EFC6604R-TR Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 732,85 KB)
PDFEFC6604R-TR Datasheet Copertura
EFC6604R-TR Datasheet Pagina 2 EFC6604R-TR Datasheet Pagina 3 EFC6604R-TR Datasheet Pagina 4 EFC6604R-TR Datasheet Pagina 5 EFC6604R-TR Datasheet Pagina 6

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EFC6604R-TR Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.6W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore6-EFCP (1.9x1.46)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

532pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI8902EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 980µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-MICRO FOOT®CSP

Pacchetto dispositivo fornitore

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

FDMC007N30D

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W, 2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (3x3)

IRFI4020H-117P

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 25V

Potenza - Max

21W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5 Full-Pak

SI4944DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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