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SI8902EDB-T2-E1

SI8902EDB-T2-E1

Solo per riferimento

Numero parte SI8902EDB-T2-E1
PNEDA Part # SI8902EDB-T2-E1
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.762
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI8902EDB-T2-E1 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI8902EDB-T2-E1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI8902EDB-T2-E1, SI8902EDB-T2-E1 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 243,57 KB)
PDFSI8902EDB-T2-E1 Datasheet Copertura
SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 2 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 3 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 4 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 5 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 6 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 7 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 8 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 9 SI8902EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 10

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  • SI8902EDB-T2-E1 Distributor

SI8902EDB-T2-E1 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 980µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-MICRO FOOT®CSP
Pacchetto dispositivo fornitore6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

FDS4559-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ALD1107SBL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

4 P-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

SI4226DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 15V

Potenza - Max

3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMN61D9UDW-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28.5pF @ 30V

Potenza - Max

320mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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