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MMDF2N02ER2G

MMDF2N02ER2G

Solo per riferimento

Numero parte MMDF2N02ER2G
PNEDA Part # MMDF2N02ER2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMDF2N02ER2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMDF2N02ER2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MMDF2N02ER2G, MMDF2N02ER2G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 130,08 KB)
PDFMMDF2N02ER2G Datasheet Copertura
MMDF2N02ER2G Datasheet Pagina 2 MMDF2N02ER2G Datasheet Pagina 3 MMDF2N02ER2G Datasheet Pagina 4 MMDF2N02ER2G Datasheet Pagina 5 MMDF2N02ER2G Datasheet Pagina 6 MMDF2N02ER2G Datasheet Pagina 7

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MMDF2N02ER2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds532pF @ 16V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 25V

Potenza - Max

3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

STL8DN10LF3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 25V

Potenza - Max

70W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SPM®

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.66mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

115W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

19-PowerDIP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

ALD114904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Depletion Mode

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (Max) @ Id

360mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC