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DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Solo per riferimento

Numero parte DF160R12W2H3FB11BPSA1
PNEDA Part # DF160R12W2H3FB11BPSA1
Descrizione MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.766
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DF160R12W2H3FB11BPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDF160R12W2H3FB11BPSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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DF160R12W2H3FB11BPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieEconoPACK™2
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Potenza - Max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.35nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™+

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

375A

Potenza - Max

1800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FZ500R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

2000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 500A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

135nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM10GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGFQ25H120T2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT and Fieldstop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

227W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.02nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

APTGF25A120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

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