BSM10GD120DN2BOSA1
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| Numero parte | BSM10GD120DN2BOSA1 |
| PNEDA Part # | BSM10GD120DN2BOSA1 |
| Descrizione | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSM10GD120DN2BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSM10GD120DN2BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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BSM10GD120DN2BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | - |
| Termistore NTC | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Asymmetrical Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 65A Potenza - Max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
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