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FZ500R65KE3NOSA1

FZ500R65KE3NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FZ500R65KE3NOSA1
PNEDA Part # FZ500R65KE3NOSA1
Descrizione MOD IGBT MED PWR A-IHV130-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ500R65KE3NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ500R65KE3NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ500R65KE3NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6500V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1000A
Potenza - Max2000000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 500A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce135nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-50°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

675A

Potenza - Max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS820R08A6P2BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

VS-GB55NA120UX

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

84A

Potenza - Max

431W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

135A

Potenza - Max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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