SI4618DY-T1-GE3
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| Numero parte | SI4618DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | SI4618DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 9.779 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SI4618DY-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI4618DY-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI4618DY-T1-GE3, SI4618DY-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 205,11 KB)
  
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SI4618DY-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 15.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1535pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.98W, 4.16W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V Potenza - Max 3.1W, 3.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 25V Potenza - Max 65W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 722pF @ 25V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
