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Transistor

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Disponibile
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IRF520NS
IRF520NS

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.790
IRF520NSPBF
IRF520NSPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.748
IRF520NSTRL
IRF520NSTRL

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.490
IRF520NSTRLPBF
IRF520NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile16.332
IRF520NSTRR
IRF520NSTRR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile5.202
IRF520NSTRRPBF
IRF520NSTRRPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile7.524
IRF520PBF
IRF520PBF

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile22.344
IRF520S
IRF520S

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.744
IRF520SPBF
IRF520SPBF

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile14.832
IRF520STRL
IRF520STRL

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.196
IRF520STRR
IRF520STRR

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.140
IRF5210L
IRF5210L

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 40A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile2.088
IRF5210LPBF
IRF5210LPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 38A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile17.106
IRF5210PBF
IRF5210PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile32.436
IRF5210SPBF
IRF5210SPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.640
IRF5210STRLPBF
IRF5210STRLPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile15.174
IRF5210STRR
IRF5210STRR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.726
IRF5210STRRPBF
IRF5210STRRPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.280
IRF530
IRF530

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 88W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile4.608
IRF530
IRF530

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 14A TO-220

  • Produttore: STMicroelectronics
  • Serie: STripFET™ II
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile4.140
IRF5305L
IRF5305L

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile3.960
IRF5305LPBF
IRF5305LPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile5.598
IRF5305PBF
IRF5305PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile28.440
IRF5305SPBF
IRF5305SPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.960
IRF5305STRLPBF
IRF5305STRLPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile44.466
IRF5305STRR
IRF5305STRR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.024
IRF5305STRRPBF
IRF5305STRRPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.718
IRF530A
IRF530A

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 14A TO-220

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile6.216
IRF530L
IRF530L

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 14A TO-262

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile3.276
IRF530N,127

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 633pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 79W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile6.570