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Transistor

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Disponibile
Quantità
IRF40R207
IRF40R207

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 56A DPAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®, StrongIRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile34.428
IRF4104
IRF4104

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile7.128
IRF4104GPBF
IRF4104GPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N CH 40V 75A TO220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile2.592
IRF4104L
IRF4104L

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile4.716
IRF4104LPBF
IRF4104LPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile3.186
IRF4104PBF
IRF4104PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile6.462
IRF4104S
IRF4104S

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile7.794
IRF4104SPBF
IRF4104SPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile18.114
IRF450
IRF450

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-204AA (TO-3)
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AA, TO-3
Disponibile5.364
IRF4905LPBF
IRF4905LPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 42A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile21.486
IRF4905PBF
IRF4905PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 74A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile375.540
IRF4905SPBF
IRF4905SPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.340
IRF4905STRLPBF
IRF4905STRLPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile246.678
IRF4905STRR
IRF4905STRR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 74A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.664
IRF4905STRRPBF
IRF4905STRRPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile6.534
IRF510
IRF510

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile7.794
IRF510L
IRF510L

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile7.506
IRF510PBF
IRF510PBF

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile26.952
IRF510S
IRF510S

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.532
IRF510SPBF
IRF510SPBF

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile26.964
IRF510STRL
IRF510STRL

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.334
IRF510STRLPBF
IRF510STRLPBF

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile5.706
IRF510STRR
IRF510STRR

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.644
IRF510STRRPBF
IRF510STRRPBF

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak)
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.352
IRF520
IRF520

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile4.752
IRF520
IRF520

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

  • Produttore: STMicroelectronics
  • Serie: STripFET™ II
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile8.190
IRF520N
IRF520N

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile3.418
IRF520NL
IRF520NL

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile2.844
IRF520NLPBF
IRF520NLPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile8.982
IRF520NPBF
IRF520NPBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: HEXFET®
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile19.620