Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF520PBF

IRF520PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF520PBF
PNEDA Part # IRF520PBF
Descrizione MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF520PBF Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF520PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF520PBF, IRF520PBF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 276,47 KB)
PDFIRF520 Datasheet Copertura
IRF520 Datasheet Pagina 2 IRF520 Datasheet Pagina 3 IRF520 Datasheet Pagina 4 IRF520 Datasheet Pagina 5 IRF520 Datasheet Pagina 6 IRF520 Datasheet Pagina 7 IRF520 Datasheet Pagina 8 IRF520 Datasheet Pagina 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IRF520PBF Datasheet
  • where to find IRF520PBF
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRF520PBF
  • IRF520PBF PDF Datasheet
  • IRF520PBF Stock

  • IRF520PBF Pinout
  • Datasheet IRF520PBF
  • IRF520PBF Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRF520PBF Price
  • IRF520PBF Distributor

IRF520PBF Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.2A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds360pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

DMN10H220LVT-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.87A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

401pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.67W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

RZM001P02T2L

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VMT3

Pacchetto / Custodia

SOT-723

IPI120N08S404AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

179W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQAF33N10

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 12.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

TP65H070LDG

Transphorm

Produttore

Transphorm

Serie

TP65H070L

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.8V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

96W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-PQFN (8x8)

Pacchetto / Custodia

3-PowerDFN

Venduto di recente

NCP81071BDR2G

NCP81071BDR2G

ON Semiconductor

IC MOSFET DVR HS 5A DUAL 8SOIC

VIPER100A

VIPER100A

STMicroelectronics

IC SWIT PWM SMPS CM PENTAWATT5

7V24000002

7V24000002

TXC

CRYSTAL 24MHZ 8PF SMD

LDK120M32R

LDK120M32R

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 3.2V 200MA SOT23-5

TPSB336K016R0350

TPSB336K016R0350

CAP TANT 33UF 10% 16V 1411

MCP1725-3302E/MC

MCP1725-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

RLF7030T-3R3M4R1

RLF7030T-3R3M4R1

TDK

FIXED IND 3.3UH 4.1A 17.4 MOHM

PZTA92

PZTA92

ON Semiconductor

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

9DBL411BGILFT

9DBL411BGILFT

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK FANOUT/BUFF DIFF 20TSSOP

24LC64-I/SN

24LC64-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC

NE3509M04-A

NE3509M04-A

CEL

FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

FDS6675

FDS6675

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC