Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF4905STRLPBF

IRF4905STRLPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF4905STRLPBF
PNEDA Part # IRF4905STRLPBF
Descrizione MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 246.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF4905STRLPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF4905STRLPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IRF4905STRLPBF Datasheet
  • where to find IRF4905STRLPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF4905STRLPBF
  • IRF4905STRLPBF PDF Datasheet
  • IRF4905STRLPBF Stock

  • IRF4905STRLPBF Pinout
  • Datasheet IRF4905STRLPBF
  • IRF4905STRLPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF4905STRLPBF Price
  • IRF4905STRLPBF Distributor

IRF4905STRLPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C42A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)170W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

AOT11S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

178W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFS4321TRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TPC8134,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FCPF260N60E-F152

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SSM3J377R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+6V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23F

Pacchetto / Custodia

SOT-23-3 Flat Leads

Venduto di recente

NR6028T100M

NR6028T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 1.9A 84.5 MOHM

LT1763CS8-3.3#PBF

LT1763CS8-3.3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8SOIC

CY7C65632-28LTXCT

CY7C65632-28LTXCT

Cypress Semiconductor

IC CONTROLLER USB 28QFN

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

24LC32A-I/ST

24LC32A-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

TAJA105K016RNJ

TAJA105K016RNJ

CAP TANT 1UF 10% 16V 1206

HSMS-2812-TR1

HSMS-2812-TR1

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

MCP23017-E/SO

MCP23017-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SOIC

MMSS8050-H-TP

MMSS8050-H-TP

Micro Commercial Co

TRANS NPN 25V 1.5A SOT23

TNY278PN

TNY278PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT OVP OTP HV 8DIP

B560C-13-F

B560C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC

SE5534AN

SE5534AN

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP