Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
CSD19533Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A VSONP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile21.300
CSD19534KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 118W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.840
CSD19534Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 50 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile82.956
CSD19534Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 50 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile97.080
CSD19535KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V TO-220 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile49.992
CSD19535KTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile16.488
CSD19535KTTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile30.600
CSD19536KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V TO-220 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.459
CSD19536KTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile1.764
CSD19536KTTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile19.686
CSD19537Q3 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.724
CSD19537Q3T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile36.498
CSD19538Q2 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 100V 14.4A SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WSON (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad	Disponibile110.568
CSD19538Q2T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WSON (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad	Disponibile23.892
CSD19538Q3A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 15A VSONP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (3x3.15) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile26.784
CSD19538Q3AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 15A VSONP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (3x3.15) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile270.756
CSD22202W15 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile237.774
CSD22204W Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 5A Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile73.625
CSD22204WT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 9DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile53.886
CSD22205L Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA	Disponibile249.858
CSD22205LT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA	Disponibile14.580
CSD22206W Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 8V P-CHANNEL FEMTOFET Produttore: Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA (1.5x1.5) Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile7.632
CSD22206WT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA (1.5x1.5) Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile47.196
CSD23201W10 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DSBGA (1x1) Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, DSBGA	Disponibile2.394
CSD23202W10 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DSBGA (1x1) Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, DSBGA	Disponibile1.367.952
CSD23202W10T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DSBGA (1x1) Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, DSBGA	Disponibile173.814
CSD23203W Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile2.502
CSD23203WT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile23.658
CSD23280F3 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 234pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile640.758
CSD23280F3T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 234pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile212.808

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