CSD19537Q3T
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| Numero parte | CSD19537Q3T |
| PNEDA Part # | CSD19537Q3T |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 36.498 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD19537Q3T Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD19537Q3T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD19537Q3T Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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