CSD19536KTTT
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| Numero parte | CSD19536KTTT |
| PNEDA Part # | CSD19536KTTT |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 19.686 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD19536KTTT Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD19536KTTT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD19536KTTT Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DDPAK/TO-263-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
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