Circuiti integrati di memoria

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IS42S16400J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.436
IS42S16400J-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile11.206
IS42S16400J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.291
IS42S16400J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile23.223
IS42S16400J-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.446
IS42S16400J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.472
IS42S16400J-7B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)	Disponibile3.528
IS42S16400J-7B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)	Disponibile4.392
IS42S16400J-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile7.830
IS42S16400J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile13.753
IS42S16400J-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile8.460
IS42S16400J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.598
IS42S16400J-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile14.548
IS42S16400J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile52.948
IS42S16400J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.372
IS42S16400J-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile1.334
IS42S16800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile3.060
IS42S16800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile4.968
IS42S16800D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.858
IS42S16800D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.020
IS42S16800D-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile4.320
IS42S16800D-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile5.022
IS42S16800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile6.282
IS42S16800D-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile8.460
IS42S16800D-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.200
IS42S16800D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile2.736
IS42S16800D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.580
IS42S16800D-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.820
IS42S16800D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile8.316
IS42S16800D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)	Disponibile3.276

IS42S16400J-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.436

IS42S16400J-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile11.206

IS42S16400J-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.291

IS42S16400J-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile23.223

IS42S16400J-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.446

IS42S16400J-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.472

IS42S16400J-7B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)

Disponibile3.528

IS42S16400J-7B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)

Disponibile4.392

IS42S16400J-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile7.830

IS42S16400J-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile13.753

IS42S16400J-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile8.460

IS42S16400J-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.598

IS42S16400J-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile14.548

IS42S16400J-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile52.948

IS42S16400J-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.372

IS42S16400J-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile1.334

IS42S16800D-6B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile3.060

IS42S16800D-6B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile4.968

IS42S16800D-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.858

IS42S16800D-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.020

IS42S16800D-75EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile4.320

IS42S16800D-75EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile5.022

IS42S16800D-75EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile6.282

IS42S16800D-75EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile8.460

IS42S16800D-75ETL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.200

IS42S16800D-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile2.736

IS42S16800D-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.580

IS42S16800D-75ETL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.820

IS42S16800D-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile8.316

IS42S16800D-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-MiniBGA (8x13)

Disponibile3.276

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