Circuiti integrati di memoria

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IS42S16320B-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.920
IS42S16320B-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile2.970
IS42S16320B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)	Disponibile4.392
IS42S16320B-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)	Disponibile5.256
IS42S16320B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)	Disponibile8.640
IS42S16320B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)	Disponibile8.190
IS42S16320B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile11.668
IS42S16320B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile40.445
IS42S16320B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.236
IS42S16320B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile552
IS42S16320D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile4.230
IS42S16320D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile4.392
IS42S16320D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile7.632
IS42S16320D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile6.156
IS42S16320D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile2.023
IS42S16320D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.182
IS42S16320D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.956
IS42S16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.382
IS42S16320D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile4.428
IS42S16320D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile1.602
IS42S16320D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile437
IS42S16320D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile8.424
IS42S16320D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile13.425
IS42S16320D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.500
IS42S16320D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.580
IS42S16320D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.210
IS42S16320F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile8.496
IS42S16320F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile3.402
IS42S16320F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile5.472
IS42S16320F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile4.986

IS42S16320B-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.920

IS42S16320B-75ETL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile2.970

IS42S16320B-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

Disponibile4.392

IS42S16320B-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

Disponibile5.256

IS42S16320B-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

Disponibile8.640

IS42S16320B-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

Disponibile8.190

IS42S16320B-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile11.668

IS42S16320B-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile40.445

IS42S16320B-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.236

IS42S16320B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile552

IS42S16320D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile4.230

IS42S16320D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile4.392

IS42S16320D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile7.632

IS42S16320D-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile6.156

IS42S16320D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile2.023

IS42S16320D-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.182

IS42S16320D-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.956

IS42S16320D-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.382

IS42S16320D-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile4.428

IS42S16320D-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile1.602

IS42S16320D-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile437

IS42S16320D-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile8.424

IS42S16320D-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile13.425

IS42S16320D-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.500

IS42S16320D-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.580

IS42S16320D-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.210

IS42S16320F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile8.496

IS42S16320F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile3.402

IS42S16320F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile5.472

IS42S16320F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile4.986

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