Circuiti integrati di memoria

IS42S16800D-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800D-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800D-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800D-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-75EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-75EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-75EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-75EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-75ETL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-75ETL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16800E-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800E-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800F-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16800F-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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