Circuiti integrati di memoria

IS42S16160G-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160G-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-6TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 166MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-6TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 166MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS42S16160J-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16160J-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16320B-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

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IS42S16320B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

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IS42S16320B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

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IS42S16320B-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-WBGA (11x13)

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IS42S16320B-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16320B-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16320B-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16320B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16320B-75ETL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS42S16320B-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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