Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
R1LV3216RSA-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile8.046
R1LV3216RSA-7SR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile6.570
R1LV3216RSA-7SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile8.622
R1LV3216RSD-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II	Disponibile7.044
R1LV3216RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II	Disponibile6.588
R1LV3216RSD-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II	Disponibile5.994
R1LV3216RSD-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II	Disponibile8.730
R1LV5256ESA-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile7.650
R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile8.148
R1LV5256ESA-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile6.948
R1LV5256ESA-5SI#S1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile12.846
R1LV5256ESA-5SR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile2.970
R1LV5256ESA-5SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile4.950
R1LV5256ESA-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile7.164
R1LV5256ESA-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile8.190
R1LV5256ESA-7SR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile7.596
R1LV5256ESA-7SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP	Disponibile6.426
R1LV5256ESP-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile15.924
R1LV5256ESP-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile5.868
R1LV5256ESP-5SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile3.598
R1LV5256ESP-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile6.912
R1LV5256ESP-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile7.434
R1LV5256ESP-7SR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile2.304
R1LV5256ESP-7SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP	Disponibile3.582
R1RP0408DGE-0PI#B0 Renesas Electronics America	Memoria MICROCOMPUTER Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile4.968
R1RP0408DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile4.572
R1RP0408DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile4.410
R1RP0408DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile8.658
R1RP0416DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile8.100
R1RP0416DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile8.352

R1LV3216RSA-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile8.046

R1LV3216RSA-7SR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile6.570

R1LV3216RSA-7SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile8.622

R1LV3216RSD-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II

Disponibile7.044

R1LV3216RSD-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II

Disponibile6.588

R1LV3216RSD-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II

Disponibile5.994

R1LV3216RSD-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 52-TSOP II

Disponibile8.730

R1LV5256ESA-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile7.650

R1LV5256ESA-5SI#B1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile8.148

R1LV5256ESA-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile6.948

R1LV5256ESA-5SI#S1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile12.846

R1LV5256ESA-5SR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile2.970

R1LV5256ESA-5SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile4.950

R1LV5256ESA-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile7.164

R1LV5256ESA-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile8.190

R1LV5256ESA-7SR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile7.596

R1LV5256ESA-7SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP

Disponibile6.426

R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile15.924

R1LV5256ESP-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile5.868

R1LV5256ESP-5SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile3.598

R1LV5256ESP-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile6.912

R1LV5256ESP-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile7.434

R1LV5256ESP-7SR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile2.304

R1LV5256ESP-7SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOP

Disponibile3.582

R1RP0408DGE-0PI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

MICROCOMPUTER

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile4.968

R1RP0408DGE-2LR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile4.572

R1RP0408DGE-2PI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile4.410

R1RP0408DGE-2PR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile8.658

R1RP0416DGE-2LR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile8.100

R1RP0416DGE-2PI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile8.352

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