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R1LV5256ESA-5SI#S0

R1LV5256ESA-5SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV5256ESA-5SI#S0
PNEDA Part # R1LV5256ESA-5SI-S0
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV5256ESA-5SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV5256ESA-5SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV5256ESA-5SI#S0, R1LV5256ESA-5SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 282,85 KB)
PDFR1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV5256ESA-5SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tensione - Alimentazione

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Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Xccela Bus

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

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