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R1RP0416DGE-2LR#B0

R1RP0416DGE-2LR#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1RP0416DGE-2LR#B0
PNEDA Part # R1RP0416DGE-2LR-B0
Descrizione IC SRAM 4M FAST 44-SOJ
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1RP0416DGE-2LR#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1RP0416DGE-2LR#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1RP0416DGE-2LR#B0, R1RP0416DGE-2LR#B0 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 117,97 KB)
PDFR1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Copertura
R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 2 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 3 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 4 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 5 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 6 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 7 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 8 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 9 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 10 R1RP0416DGE-2PR#B0 Datasheet Pagina 11

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R1RP0416DGE-2LR#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

576Kb (16K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

70V24S35JI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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