Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
BYM13-30-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile25.260
BYM13-30-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile6.012
BYM13-30HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile2.268
BYM13-30HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile8.820
BYM13-40-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile57.048
BYM13-40-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile36.666
BYM13-40HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile5.904
BYM13-40HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile5.832
BYM13-50-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile17.082
BYM13-50-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.768
BYM13-50HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.554
BYM13-50HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.492
BYM13-60-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile307.242
BYM13-60-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.866
BYM13-60HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.212
BYM13-60HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.898
BYM36A-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.472
BYM36B-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.254
BYM36C-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.704
BYM36D-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 2.9A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.636
BYM36E-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 2.9A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile96.798
BYM36E-TR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD64 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.150
BYR16W-1200Q WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2 Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 16A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 105ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.582
BYR29-600,127 WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile5.238
BYR29-800,127 WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile7.704
BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile3.024
BYR29X-800,127 WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile3.544
BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile7.668
BYR5D-1200PJ WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 62ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile8.406
BYS10-25-E3/TR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 25V 1.5A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 25V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile1.394

BYM13-30-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile25.260

BYM13-30-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile6.012

BYM13-30HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile2.268

BYM13-30HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile8.820

BYM13-40-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile57.048

BYM13-40-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile36.666

BYM13-40HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile5.904

BYM13-40HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile5.832

BYM13-50-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile17.082

BYM13-50-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.768

BYM13-50HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.554

BYM13-50HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.492

BYM13-60-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile307.242

BYM13-60-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.866

BYM13-60HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.212

BYM13-60HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.898

BYM36A-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.472

BYM36B-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.254

BYM36C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.704

BYM36D-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2.9A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.636

BYM36E-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2.9A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile96.798

BYM36E-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD64

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.150

BYR16W-1200Q

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 16A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 105ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.582

BYR29-600,127

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile5.238

BYR29-800,127

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile7.704

BYR29X-600,127

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile3.024

BYR29X-800,127

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile3.544

BYR29X-800PQ

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile7.668

BYR5D-1200PJ

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 62ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile8.406

BYS10-25-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 25V 1.5A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 25V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile1.394

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