Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
BYM12-150HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.492
BYM12-150HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.154
BYM12-200-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile355.458
BYM12-200-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile36.612
BYM12-200HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.446
BYM12-200HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.178
BYM12-200HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.326
BYM12-200HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.094
BYM12-300-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.356
BYM12-300-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.280
BYM12-300HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.934
BYM12-300HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.516
BYM12-300HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.096
BYM12-300HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.948
BYM12-400-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.892
BYM12-400-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.508
BYM12-400HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.334
BYM12-400HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.100
BYM12-400HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.554
BYM12-400HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.780
BYM12-50-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile23.274
BYM12-50-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.050
BYM12-50HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.352
BYM12-50HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.860
BYM12-50HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.300
BYM12-50HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.562
BYM13-20-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile17.640
BYM13-20-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile5.688
BYM13-20HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile7.956
BYM13-20HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile4.842

BYM12-150HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.492

BYM12-150HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.154

BYM12-200-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile355.458

BYM12-200-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile36.612

BYM12-200HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.446

BYM12-200HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.178

BYM12-200HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.326

BYM12-200HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.094

BYM12-300-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.356

BYM12-300-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.280

BYM12-300HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.934

BYM12-300HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.516

BYM12-300HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.096

BYM12-300HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.948

BYM12-400-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.892

BYM12-400-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.508

BYM12-400HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.334

BYM12-400HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.100

BYM12-400HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.554

BYM12-400HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.780

BYM12-50-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile23.274

BYM12-50-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.050

BYM12-50HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.352

BYM12-50HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.860

BYM12-50HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.300

BYM12-50HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.562

BYM13-20-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile17.640

BYM13-20-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile5.688

BYM13-20HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile7.956

BYM13-20HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore: GL41 (DO-213AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile4.842

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