Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
BYM11-200HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.556
BYM11-200HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.898
BYM11-400-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile50.856
BYM11-400-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile38.514
BYM11-400HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.394
BYM11-400HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.384
BYM11-50-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.640
BYM11-50-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.986
BYM11-50HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.524
BYM11-50HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.826
BYM11-600-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile26.496
BYM11-600-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile50.382
BYM11-600HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.802
BYM11-600HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.950
BYM11-800-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile31.578
BYM11-800-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.352
BYM11-800HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.426
BYM11-800HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.808
BYM11-800HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.856
BYM11-800HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.300
BYM12-100-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile24.936
BYM12-100-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.598
BYM12-100HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.706
BYM12-100HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.742
BYM12-100HE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.300
BYM12-100HE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.688
BYM12-150-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.236
BYM12-150-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.142
BYM12-150HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.706
BYM12-150HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.604

BYM11-200HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.556

BYM11-200HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.898

BYM11-400-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile50.856

BYM11-400-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile38.514

BYM11-400HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.394

BYM11-400HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.384

BYM11-50-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.640

BYM11-50-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.986

BYM11-50HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.524

BYM11-50HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.826

BYM11-600-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile26.496

BYM11-600-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile50.382

BYM11-600HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.802

BYM11-600HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.950

BYM11-800-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile31.578

BYM11-800-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.352

BYM11-800HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.426

BYM11-800HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.808

BYM11-800HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.856

BYM11-800HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.300

BYM12-100-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile24.936

BYM12-100-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.598

BYM12-100HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.706

BYM12-100HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.742

BYM12-100HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.300

BYM12-100HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.688

BYM12-150-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.236

BYM12-150-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.142

BYM12-150HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.706

BYM12-150HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.604

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