Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
1N4448HWS-13-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile7.920
1N4448HWS-7 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile3.366
1N4448HWS-7-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile546.024
1N4448HWS-7-G Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile1.605
1N4448HWT-7 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 125mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-523 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile1.742.724
1N4448HWT-7-G Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile3.384
1N4448_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.518
1N4448-T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.930
1N4448-T Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.488
1N4448_T26A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.354
1N4448_T50A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.182
1N4448_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.070
1N4448TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 8ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile93.324
1N4448-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile4.068
1N4448 TR Central Semiconductor Corp	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C	Disponibile3.132
1N4448TR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 8ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile19.106
1N4448TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile15.158
1N4448TR_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.680
1N4448W-7 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile3.276
1N4448W-7-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile1.831.698
1N4448W-E3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile104.184
1N4448W-E3-18 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.212
1N4448W-G3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.394
1N4448W-G3-18 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.510
1N4448W-HE3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.662
1N4448W-HE3-18 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.352
1N4448WQ-7-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile332.064
1N4448W RHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123F Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.894
1N4448WS ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile1.985.790
1N4448WS-7 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile3.508

1N4448HWS-13-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile7.920

1N4448HWS-7

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile3.366

1N4448HWS-7-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile546.024

1N4448HWS-7-G

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile1.605

1N4448HWT-7

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 125mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-523
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile1.742.724

1N4448HWT-7-G

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile3.384

1N4448_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.518

1N4448-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.930

1N4448-T

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.488

1N4448_T26A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.354

1N4448_T50A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.182

1N4448_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.070

1N4448TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 8ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile93.324

1N4448-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile4.068

1N4448 TR

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

Disponibile3.132

1N4448TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 8ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile19.106

1N4448TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile15.158

1N4448TR_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.680

1N4448W-7

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile3.276

1N4448W-7-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile1.831.698

1N4448W-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile104.184

1N4448W-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.212

1N4448W-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.394

1N4448W-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.510

1N4448W-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.662

1N4448W-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.352

1N4448WQ-7-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile332.064

1N4448W RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.894

1N4448WS

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile1.985.790

1N4448WS-7

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile3.508

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