1N4448TR
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| Numero parte | 1N4448TR | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1N4448TR_AD | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 19.106 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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1N4448TR Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N4448TR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N4448TR Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 150mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 8ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 19A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 12mA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Bourns Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 60V Capacità @ Vr, F 115pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore 2-SMD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 630mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
