Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
1N4305-1E3 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SWITCHING DO-35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 2ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 (DO-204AH) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile7.164
1N4305_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile6.084
1N4305TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile2.484
1N4383GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.754
1N4383GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.052
1N4384GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.652
1N4384GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.048
1N4384GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.256
1N4384GPHE3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.696
1N4385GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile30.666
1N4385GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.094
1N4444-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SWITCHING Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.704
1N4446 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.330
1N4446 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.192
1N4446 BK Central Semiconductor Corp	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C	Disponibile4.590
1N4446_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile7.182
1N4446 TR Central Semiconductor Corp	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C	Disponibile7.740
1N4446TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile4.968
1N4447 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.894
1N4447 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile215.964
1N4447TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile5.220
1N4448 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.822
1N4448 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile248.700
1N4448,113 NXP	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)	Disponibile6.390
1N4448,133 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)	Disponibile7.740
1N4448,143 NXP	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)	Disponibile4.446
1N4448-A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.544
1N4448 A0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile5.004
1N4448 BK Central Semiconductor Corp	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C	Disponibile3.472
1N4448HLP-7 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 125mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 0402 (1006 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore: X1-DFN1006-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile812.952

1N4305-1E3

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SWITCHING DO-35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 2ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 (DO-204AH)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile7.164

1N4305_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile6.084

1N4305TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile2.484

1N4383GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.754

1N4383GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.052

1N4384GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.652

1N4384GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.048

1N4384GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.256

1N4384GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.696

1N4385GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile30.666

1N4385GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.094

1N4444-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SWITCHING

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.704

1N4446

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.330

1N4446

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.192

1N4446 BK

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

Disponibile4.590

1N4446_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile7.182

1N4446 TR

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

Disponibile7.740

1N4446TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile4.968

1N4447

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.894

1N4447

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile215.964

1N4447TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile5.220

1N4448

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.822

1N4448

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile248.700

1N4448,113

NXP

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)

Disponibile6.390

1N4448,133

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)

Disponibile7.740

1N4448,143

NXP

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)

Disponibile4.446

1N4448-A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.544

1N4448 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile5.004

1N4448 BK

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

Disponibile3.472

1N4448HLP-7

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 125mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 0402 (1006 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore: X1-DFN1006-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile812.952

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