Diodi e raddrizzatori

JAN1N5187

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/424
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 200ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5188

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/424
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5190

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5194

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/118
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 70V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
• Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.25mA @ 80V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 170°C

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JAN1N5310-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

RECTIFIER

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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JAN1N5415

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5415US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5416

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5416US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5417

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5417US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: B, SQ-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5418

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5418US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5419

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 500V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5419US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 500V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5420

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: B, Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5420US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5523BUR-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

RECTIFIER

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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JAN1N5550

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5550US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5551

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5551US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5552

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5552US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5553

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5553US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5554

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5554US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/420
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 9A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5614

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/427
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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JAN1N5614US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/427
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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