JAN1N5187
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| Numero parte | JAN1N5187 |
| PNEDA Part # | JAN1N5187 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.610 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N5187 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N5187 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N5187 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/424 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | B, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 15V Capacità @ Vr, F 16pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
