JAN1N5416
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Numero parte | JAN1N5416 |
PNEDA Part # | JAN1N5416 |
Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.526 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N5416 Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | JAN1N5416 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N5416 Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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