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UPA2660T1R-E2-AX

UPA2660T1R-E2-AX

Solo per riferimento

Numero parte UPA2660T1R-E2-AX
PNEDA Part # UPA2660T1R-E2-AX
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA2660T1R-E2-AX Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA2660T1R-E2-AX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA2660T1R-E2-AX, UPA2660T1R-E2-AX Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 261,71 KB)
PDFUPA2660T1R-E2-AX Datasheet Copertura
UPA2660T1R-E2-AX Datasheet Pagina 2 UPA2660T1R-E2-AX Datasheet Pagina 3 UPA2660T1R-E2-AX Datasheet Pagina 4 UPA2660T1R-E2-AX Datasheet Pagina 5 UPA2660T1R-E2-AX Datasheet Pagina 6 UPA2660T1R-E2-AX Datasheet Pagina 7

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UPA2660T1R-E2-AX Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
Potenza - Max2.3W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore6-HUSON (2x2)

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V

Potenza - Max

1.12W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SSM6P47NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (2x2)

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N Channel (Phase Leg)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

295A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

644nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 1000V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

IRF9952PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NVMFD5853NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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