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UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT

Solo per riferimento

Numero parte UPA3753GR-E1-AT
PNEDA Part # UPA3753GR-E1-AT
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA3753GR-E1-AT Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA3753GR-E1-AT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA3753GR-E1-AT, UPA3753GR-E1-AT Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 136,68 KB)
PDFUPA3753GR-E1-AT Datasheet Copertura
UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 2 UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 3 UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 4 UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 5 UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 6 UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 7 UPA3753GR-E1-AT Datasheet Pagina 8

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UPA3753GR-E1-AT Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 10V
Potenza - Max1.12W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Potenza - Max

10.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A, 156A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7940pF @ 20V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

4.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 50V

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Temperatura di esercizio

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