APTMC120AM09CT3AG
Solo per riferimento
Numero parte | APTMC120AM09CT3AG |
PNEDA Part # | APTMC120AM09CT3AG |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.796 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
APTMC120AM09CT3AG Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APTMC120AM09CT3AG |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTMC120AM09CT3AG Datasheet
- where to find APTMC120AM09CT3AG
- Microsemi
- Microsemi APTMC120AM09CT3AG
- APTMC120AM09CT3AG PDF Datasheet
- APTMC120AM09CT3AG Stock
- APTMC120AM09CT3AG Pinout
- Datasheet APTMC120AM09CT3AG
- APTMC120AM09CT3AG Supplier
- Microsemi Distributor
- APTMC120AM09CT3AG Price
- APTMC120AM09CT3AG Distributor
APTMC120AM09CT3AG Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 295A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 200A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 40mA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 644nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 1000V |
Potenza - Max | 1250W |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / Custodia | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Diodes Incorporated Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V, 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 995mOhm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V Potenza - Max 50W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V Potenza - Max 55W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |