TPD3215M
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| Numero parte | TPD3215M |
| PNEDA Part # | TPD3215M |
| Descrizione | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPD3215M Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPD3215M |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TPD3215M Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Potenza - Max | 470W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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