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FDS4895C

FDS4895C

Solo per riferimento

Numero parte FDS4895C
PNEDA Part # FDS4895C
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS4895C Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS4895C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS4895C, FDS4895C Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 166,79 KB)
PDFFDS4895C Datasheet Copertura
FDS4895C Datasheet Pagina 2 FDS4895C Datasheet Pagina 3 FDS4895C Datasheet Pagina 4 FDS4895C Datasheet Pagina 5 FDS4895C Datasheet Pagina 6 FDS4895C Datasheet Pagina 7 FDS4895C Datasheet Pagina 8

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FDS4895C Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 20V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

APTM50AM38FTG

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V

Potenza - Max

694W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

STL40DN3LLH5

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V

Potenza - Max

60W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

DMN3190LDW-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

87pF @ 20V

Potenza - Max

320mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

NTZD3154NT1H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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