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BUK9K17-60EX

BUK9K17-60EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K17-60EX
PNEDA Part # BUK9K17-60EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K17-60EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K17-60EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K17-60EX, BUK9K17-60EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 743,8 KB)
PDFBUK9K17-60EX Datasheet Copertura
BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 2 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 3 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 4 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 5 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 6 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 7 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 8 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 9 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 10 BUK9K17-60EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K17-60EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2223pF @ 25V
Potenza - Max53W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

299pF @ 15V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

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Produttore

Rohm Semiconductor

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-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 6V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSST

DMC31D5UDJ-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.38nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22.6pF @ 15V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-963

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

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