TPC8018-H(TE12LQM)
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Numero parte | TPC8018-H(TE12LQM) |
PNEDA Part # | TPC8018-H-TE12LQM |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.824 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPC8018-H(TE12LQM) Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TPC8018-H(TE12LQM) |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
TPC8018-H(TE12LQM), TPC8018-H(TE12LQM) Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 469,39 KB)
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TPC8018-H(TE12LQM) Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2265pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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