TPC8018-H(TE12LQM)
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| Numero parte | TPC8018-H(TE12LQM) |
| PNEDA Part # | TPC8018-H-TE12LQM |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.824 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPC8018-H(TE12LQM) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPC8018-H(TE12LQM) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TPC8018-H(TE12LQM), TPC8018-H(TE12LQM) Datasheet
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TPC8018-H(TE12LQM) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2265pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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